传英伟达(NVDA)推动台积电(TSM)进军先进存储芯片市场！拟进军3D-DRAM生产-抢占AI供应链更多份额

美股投资网获悉，据媒体报道，全球最大芯片代工制造商台积电(TSM)正考虑将业务范围拓展至先进存储芯片制造领域，并已应最大客户英伟达(NVDA)的要求，开始制定生产3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的相关计划。若这一计划最终落地，台积电有望进一步扩大其在人工智能(AI)硬件供应链中的影响力。

据媒体援引两名知情人士的消息报道，台积电近期已着手研究3D DRAM的生产方案。这一动向源于英伟达对先进存储芯片供应的需求，反映出AI芯片设计商正积极寻求扩大关键零部件的供应来源。

3D DRAM是一种采用三维结构设计的先进存储芯片技术，旨在通过新的存储单元布局和制造工艺，提高存储密度，并为未来高性能计算系统提供更多技术选择。

对于长期专注于逻辑芯片代工及先进封装业务的台积电而言，涉足先进DRAM制造将意味着业务版图进一步扩大。

目前，台积电在全球先进逻辑芯片制造领域占据主导地位，也是英伟达AI加速器的重要制造合作伙伴。若未来进一步进入先进存储芯片生产领域，台积电将有机会在AI计算硬件的更多关键环节发挥作用。

这一潜在业务扩张正值全球存储芯片市场面临严重供应紧张之际。随着生成式AI和数据中心建设热潮持续，市场对高性能计算硬件及配套存储芯片的需求快速增长，推动存储芯片供应趋紧、价格大幅上涨。

对于英伟达等AI芯片设计商而言，存储芯片是决定计算系统性能和生产规模的重要组成部分。供应短缺不仅可能推高硬件制造成本，也可能制约AI基础设施的部署速度。因此，包括英伟达和苹果(AAPL)在内的大型科技企业正积极寻找更多存储芯片供应来源，以降低供应链风险。

存储芯片涨价的影响也已开始向消费电子市场传导。苹果今年早些时候曾以存储成本上涨为由，提高部分产品的售价，凸显出存储芯片供应紧张已不再局限于AI服务器领域，而是对更广泛的电子产品市场产生影响。

在这一背景下，英伟达推动台积电研究3D DRAM生产，可能有助于其在未来建立更多元化的先进存储芯片供应体系。

不过，目前相关计划仍处于初步研究和规划阶段。报道并未披露台积电计划投入的资金规模、潜在产能、量产时间表，以及未来是否会正式开展商业化生产。

此外，3D DRAM与当前AI加速器广泛采用的高带宽存储器(HBM)并非完全相同的技术路线，台积电研究3D DRAM生产也不意味着其已决定进入现有HBM市场。

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